SIHP11N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт; TO220AB

SIHP11N80E-GE3
589.15 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
Цена
499.22 ₽
451.16 ₽
392.25 ₽
387.60 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHP11N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт; TO220AB" 1.

Артикул производителя
SIHP11N80E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
88нC
Корпус
TO220AB
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
SIHP11N80E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
179Вт
Сопротивление в открытом состоянии
440мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
32А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены