SIJH800E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 299А; Idm: 350А

SIJH800E-T1-GE3
531.23 
Оптовые цены:
Кол-во
2000+
Цена
531.23 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIJH800E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 299А; Idm: 350А" 2000.

Артикул производителя
SIJH800E-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
0,21мкC
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
80В
Обозначение производителя
SIJH800E-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
333Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,8мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
299А
Ток стока в импульсном режиме
350А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены