SIR182LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 130А; Idm: 300А

SIR182LDP-T1-RE3
191.30 
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
191.30 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIR182LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 130А; Idm: 300А" 3000.

Артикул производителя
SIR182LDP-T1-RE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
84нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Обозначение производителя
SIR182LDP-T1-RE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
83Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3,85мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
130А
Ток стока в импульсном режиме
300А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены