SIR186LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 80,3А; Idm: 150А

SIR186LDP-T1-RE3
210.08 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
155.81 ₽
129.46 ₽
112.40 ₽
98.45 ₽
75.19 ₽
68.22 ₽
66.67 ₽
Доступность: 1206 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIR186LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 80,3А; Idm: 150А" 1.

Артикул производителя
SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
48нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Обозначение производителя
SIR186LDP-T1-RE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
57Вт
Сопротивление в открытом состоянии
6,3мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
80,3А
Ток стока в импульсном режиме
150А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены