SIR632DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 29А; Idm: 50А

SIR632DP-T1-RE3
‍205‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
Цена
177 ₽
160 ₽
146 ₽
143 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIR632DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 29А; Idm: 50А" 1.

Артикул производителя
SIR632DP-T1-RE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
21нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
150В
Обозначение производителя
SIR632DP-T1-RE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
69,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
41мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
29А
Ток стока в импульсном режиме
50А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены