SIR826BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 80,8А; Idm: 200А

SIR826BDP-T1-RE3
‍171‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
171 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIR826BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 80,8А; Idm: 200А" 3000.

Артикул производителя
SIR826BDP-T1-RE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
69нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
80В
Обозначение производителя
SIR826BDP-T1-RE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
83Вт
Сопротивление в открытом состоянии
6,2мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
80,8А
Ток стока в импульсном режиме
200А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены