Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37

SIR872DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А

Написать отзыв
SIR872DP-T1-GE3
233.99 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
233.99 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIR872DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А" 3000.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SIR872DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
64нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
150В
Обозначение производителя
SIR872DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
104Вт
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
53,7А
Ток стока в импульсном режиме
100А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены