Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
0,22мкC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIRA00DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
66,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,35мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
100А
Ток стока в импульсном режиме
400А
Отзывы не найдены