SIRA02DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 100А

SIRA02DP-T1-GE3
‍222‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
Цена
197 ₽
185 ₽
177 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIRA02DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 100А" 1.

Артикул производителя
SIRA02DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
117нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIRA02DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
45,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,7мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
50А
Ток стока в импульсном режиме
100А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены