SIRA10BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 150А; 28Вт

SIRA10BDP-T1-GE3
‍177‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
Цена
139 ₽
116 ₽
105 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIRA10BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 150А; 28Вт" 1.

Артикул производителя
SIRA10BDP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
36,2нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIRA10BDP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
28Вт
Сопротивление в открытом состоянии
5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
60А
Ток стока в импульсном режиме
150А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены