SIRA14DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 46А; Idm: 130А; 20Вт

SIRA14DP-T1-GE3
‍136‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
500+
1000+
2500+
Цена
100 ₽
87 ₽
70 ₽
54 ₽
48 ₽
46 ₽
Доступность: 1916 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SIRA14DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 46А; Idm: 130А; 20Вт" 1.

Артикул производителя
SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
29нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIRA14DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
20Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
46А
Ток стока в импульсном режиме
130А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены