SIRA20BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 268А; Idm: 350А

SIRA20BDP-T1-GE3
‍316‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
500+
Цена
268 ₽
241 ₽
205 ₽
163 ₽
153 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIRA20BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 268А; Idm: 350А" 1.

Артикул производителя
SIRA20BDP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
186нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-12...16В
Напряжение сток-исток
25В
Обозначение производителя
SIRA20BDP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
67Вт
Сопротивление в открытом состоянии
820мкОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
268А
Ток стока в импульсном режиме
350А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены