SIRA36DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 250А

SIRA36DP-T1-GE3
153.36 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
98.02 ₽
76.68 ₽
67.98 ₽
65.61 ₽
62.45 ₽
60.87 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIRA36DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 250А" 1.

Артикул производителя
SIRA36DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
56нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIRA36DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
28,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
4,2мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
40А
Ток стока в импульсном режиме
250А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены