SIRA52ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 105А; Idm: 200А

SIRA52ADP-T1-RE3
232.41 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
Цена
200.79 ₽
184.98 ₽
162.85 ₽
148.62 ₽
Доступность: 2985 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIRA52ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 105А; Idm: 200А" 1.

Артикул производителя
SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
0,1мкC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
SIRA52ADP-T1-RE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
30,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,3мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
105А
Ток стока в импульсном режиме
200А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены