Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37

SIRA58DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 87,3А; Idm: 150А

Написать отзыв
SIRA58DP-T1-GE3
175.49 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
Цена
173.91 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIRA58DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 87,3А; Idm: 150А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SIRA58DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
75нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
SIRA58DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
36,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3,6мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
87,3А
Ток стока в импульсном режиме
150А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены