SIRA64DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 100А

SIRA64DP-T1-GE3
192.89 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
173.91 ₽
162.06 ₽
145.45 ₽
122.53 ₽
101.98 ₽
94.86 ₽
86.96 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIRA64DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 100А" 1.

Артикул производителя
SIRA64DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
65нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIRA64DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
17,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,86мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
60А
Ток стока в импульсном режиме
100А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены