SIRA74DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 64,2А; Idm: 150А

SIRA74DP-T1-GE3
‍207‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
Цена
139 ₽
125 ₽
104 ₽
99 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIRA74DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 64,2А; Idm: 150А" 1.

Артикул производителя
SIRA74DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
41нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
SIRA74DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
29,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
6,1мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
64,2А
Ток стока в импульсном режиме
150А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены