SIRA84BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 56А; Idm: 150А; 23Вт

SIRA84BDP-T1-GE3
87.75 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
1300+
Цена
75.10 ₽
57.71 ₽
49.80 ₽
37.15 ₽
32.41 ₽
32.41 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIRA84BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 56А; Idm: 150А; 23Вт" 1.

Артикул производителя
SIRA84BDP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
32нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIRA84BDP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
23Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7,1мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
56А
Ток стока в импульсном режиме
150А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены