SIRA88BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32А; Idm: 90А; 11Вт

SIRA88BDP-T1-GE3
‍95‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
500+
Цена
73 ₽
65 ₽
47 ₽
42 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIRA88BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32А; Idm: 90А; 11Вт" 1.

Артикул производителя
SIRA88BDP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
19нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIRA88BDP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
11Вт
Сопротивление в открытом состоянии
10,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
32А
Ток стока в импульсном режиме
90А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены