SIRA90DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А

SIRA90DP-T1-RE3
278.26 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
Цена
196.05 ₽
162.85 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIRA90DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

Артикул производителя
SIRA90DP-T1-RE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
153нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIRA90DP-T1-RE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
66,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,15мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
100А
Ток стока в импульсном режиме
400А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены