SIRA96DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А

SIRA96DP-T1-GE3
92.49 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
Цена
75.10 ₽
66.40 ₽
56.92 ₽
52.96 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIRA96DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А" 1.

Артикул производителя
SIRA96DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
31нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIRA96DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
22,2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
12А
Ток стока в импульсном режиме
65А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены