Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

SIRA99DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -156А; Idm: -400А

Написать отзыв
SIRA99DP-T1-GE3
50947 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
455.49 ₽
403.41 ₽
361.74 ₽
338.07 ₽
Доступность: 2910 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA99DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -156А; Idm: -400А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
260нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-20...16В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SIRA99DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
66,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,65мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-156А
Ток стока в импульсном режиме
-400А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены