SIRB40DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 100А

SIRB40DP-T1-GE3
‍241‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
Цена
185 ₽
138 ₽
136 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIRB40DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 100А" 1.

Артикул производителя
SIRB40DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
93нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
SIRB40DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
29,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
4,2мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
40А
Ток стока в импульсном режиме
100А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены