Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
36нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIRC10DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
27,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
5,2мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Ток стока
60А
Ток стока в импульсном режиме
150А
Отзывы не найдены