SIRC18DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А

SIRC18DP-T1-GE3
‍255‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
Цена
178 ₽
134 ₽
132 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIRC18DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 1.

Артикул производителя
SIRC18DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
111нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIRC18DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
34,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,54мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Ток стока
60А
Ток стока в импульсном режиме
250А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены