SIRS700DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 102А; Idm: 350А

SIRS700DP-T1-RE3
‍813‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
730 ₽
645 ₽
581 ₽
542 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIRS700DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 102А; Idm: 350А" 1.

Артикул производителя
SIRS700DP-T1-RE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
130нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
SIRS700DP-T1-RE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
84Вт
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
102А
Ток стока в импульсном режиме
350А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены