SIS108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 14,7А; Idm: 30А

SIS108DN-T1-GE3
‍184‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
Цена
127 ₽
103 ₽
94 ₽
89 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIS108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 14,7А; Idm: 30А" 1.

Артикул производителя
SIS108DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
13нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
80В
Обозначение производителя
SIS108DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
15Вт
Сопротивление в открытом состоянии
44мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
14,7А
Ток стока в импульсном режиме
30А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены