SIS126DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 36,1А; Idm: 100А

SIS126DN-T1-GE3
173.64 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
Цена
132.56 ₽
113.95 ₽
90.70 ₽
86.05 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIS126DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 36,1А; Idm: 100А" 1.

Артикул производителя
SIS126DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
32нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
80В
Обозначение производителя
SIS126DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
33,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
36,1А
Ток стока в импульсном режиме
100А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены