SIS176LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 33,8А; Idm: 100А

SIS176LDN-T1-GE3
‍192‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
Цена
131 ₽
116 ₽
98 ₽
87 ₽
87 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIS176LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 33,8А; Idm: 100А" 1.

Артикул производителя
SIS176LDN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
19нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
70В
Обозначение производителя
SIS176LDN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
25Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
33,8А
Ток стока в импульсном режиме
100А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены