SIS406DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12,2А; Idm: 50А

SIS406DN-T1-GE3
‍116‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
Цена
102 ₽
95 ₽
94 ₽
Доступность: 2982 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SIS406DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12,2А; Idm: 50А" 1.

Артикул производителя
SIS406DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
28нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±25В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIS406DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
14,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
12,2А
Ток стока в импульсном режиме
50А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены