SIS407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А; 21Вт

SIS407DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

273.81 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
500+
Цена
216.84 ₽
188.78 ₽
154.76 ₽
116.50 ₽
107.99 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIS407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А; 21Вт" 1.

Артикул производителя
SIS407DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
93,8нC
Код производителя
SIS407DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
21Вт
Сопротивление в открытом состоянии
9,5мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-25А
Ток стока в импульсном режиме
-40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России