SIS412DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

SIS412DN-T1-GE3
‍115‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
Цена
76 ₽
73 ₽
Доступность: 2916 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SIS412DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт" 1.

Артикул производителя
SIS412DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
12нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIS412DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
10Вт
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
12А
Ток стока в импульсном режиме
30А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены