SIS413DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -70А

SIS413DN-T1-GE3
10417 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
91.86 ₽
67.23 ₽
62.50 ₽
53.03 ₽
49.24 ₽
48.30 ₽
46.40 ₽
Доступность: 4438 шт.

Срок поставки 6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIS413DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -70А" 1.

Артикул производителя
SIS413DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
110нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SIS413DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
13,2мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-18А
Ток стока в импульсном режиме
-70А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены