SIS429DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20А; Idm: -50А

SIS429DNT-T1-GE3
83.20 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
57.60 ₽
41.60 ₽
32.80 ₽
29.60 ₽
28.00 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIS429DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20А; Idm: -50А" 1.

Артикул производителя
SIS429DNT-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
50нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SIS429DNT-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
17,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
34мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-20А
Ток стока в импульсном режиме
-50А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены