Москва
 +7(993)080-09-37

SIS447DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18А; Idm: -100А

Написать отзыв
SIS447DN-T1-GE3
168.41 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
Цена
110.78 ₽
82.34 ₽
76.35 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIS447DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18А; Idm: -100А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIS447DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
181нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SIS447DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-18А
Ток стока в импульсном режиме
-100А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России