SIS4604LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 36,7А; Idm: 100А

SIS4604LDN-T1-GE3
172.33 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
250+
500+
Цена
145.45 ₽
132.02 ₽
102.77 ₽
91.70 ₽
79.84 ₽
75.10 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIS4604LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 36,7А; Idm: 100А" 1.

Артикул производителя
SIS4604LDN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
28нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Обозначение производителя
SIS4604LDN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
21,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12,4мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
36,7А
Ток стока в импульсном режиме
100А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены