SIS468DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 29,2А; Idm: 60А

SIS468DN-T1-GE3
256.92 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
250+
500+
Цена
177.87 ₽
154.94 ₽
139.92 ₽
127.27 ₽
111.46 ₽
105.14 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIS468DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 29,2А; Idm: 60А" 1.

Артикул производителя
SIS468DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
28нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
80В
Обозначение производителя
SIS468DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
33,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
29,2А
Ток стока в импульсном режиме
60А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены