Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

SIS780DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 18А

Написать отзыв
SIS780DN-T1-GE3
‍126‍ ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
500+
Цена
101 ₽
87 ₽
65 ₽
60 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "SIS780DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 18А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SIS780DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
24,5нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIS780DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
17,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
17,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Ток стока
18А
Ток стока в импульсном режиме
50А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены