Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

SIS932EDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 40А

Написать отзыв
SIS932EDN-T1-GE3
11458 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
Цена
82.39 ₽
59.66 ₽
52.08 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "SIS932EDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 40А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SIS932EDN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
14нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIS932EDN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
14,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
26мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
6А
Ток стока в импульсном режиме
40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены