Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

SIS990DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 9,7А; Idm: 20А

Написать отзыв
SIS990DN-T1-GE3
15057 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
116.48 ₽
103.22 ₽
91.86 ₽
86.17 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "SIS990DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 9,7А; Idm: 20А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SIS990DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
SIS990DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
16Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,105Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
9,7А
Ток стока в импульсном режиме
20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены