SIS990DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 9,7А; Idm: 20А

SIS990DN-T1-GE3
‍188‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
Цена
125 ₽
94 ₽
76 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIS990DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 9,7А; Idm: 20А" 1.

Артикул производителя
SIS990DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
SIS990DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
16Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,105Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
9,7А
Ток стока в импульсном режиме
20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены