SISA01DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -150А

SISA01DN-T1-GE3
19129 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
500+
Цена
144.89 ₽
130.68 ₽
104.17 ₽
94.70 ₽
87.12 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISA01DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -150А" 1.

Артикул производителя
SISA01DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
84нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-20...16В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SISA01DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8,2мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-60А
Ток стока в импульсном режиме
-150А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены