Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SISA01DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -150А

Написать отзыв
SISA01DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
229.59 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
500+
Цена
182.82 ₽
160.71 ₽
116.50 ₽
102.04 ₽
92.69 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISA01DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -150А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SISA01DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
84нC
Код производителя
SISA01DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-20...16В
Напряжение сток-исток
-30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8,2мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-60А
Ток стока в импульсном режиме
-150А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России