SISA10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 80А; 25Вт

SISA10DN-T1-GE3
‍194‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
Цена
137 ₽
104 ₽
93 ₽
89 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SISA10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 80А; 25Вт" 1.

Артикул производителя
SISA10DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
51нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SISA10DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
25Вт
Сопротивление в открытом состоянии
5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
30А
Ток стока в импульсном режиме
80А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены