SISA18ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А

SISA18ADN-T1-GE3
‍97‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
500+
Цена
77 ₽
66 ₽
48 ₽
42 ₽
42 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SISA18ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А" 1.

Артикул производителя
SISA18ADN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
21,5нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SISA18ADN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
12,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
30,6А
Ток стока в импульсном режиме
70А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены