SISA35DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -16А; Idm: -50А

SISA35DN-T1-GE3
11837 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
250+
500+
Цена
72.92 ₽
56.82 ₽
48.30 ₽
40.72 ₽
34.09 ₽
33.14 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISA35DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -16А; Idm: -50А" 1.

Артикул производителя
SISA35DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
42нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SISA35DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
15Вт
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-16А
Ток стока в импульсном режиме
-50А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены