SISA96DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А; 17Вт

SISA96DN-T1-GE3
79.84 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
500+
Цена
67.19 ₽
60.08 ₽
39.53 ₽
35.57 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SISA96DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А; 17Вт" 1.

Артикул производителя
SISA96DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
31нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SISA96DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
17Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
12А
Ток стока в импульсном режиме
65А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены