SISC06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А

SISC06DN-T1-GE3
‍182‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
500+
Цена
165 ₽
151 ₽
131 ₽
102 ₽
95 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SISC06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А" 1.

Артикул производителя
SISC06DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
58нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SISC06DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
29,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
4мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Ток стока
40А
Ток стока в импульсном режиме
100А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены