SISF00DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 120А

SISF00DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

314.63 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
500+
Цена
246.60 ₽
207.48 ₽
166.67 ₽
164.97 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISF00DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 120А" 1.

Артикул производителя
SISF00DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
53нC
Код производителя
SISF00DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
44,4Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
60А
Ток стока в импульсном режиме
120А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России