SISF02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 140А

SISF02DN-T1-GE3
291.20 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
250+
500+
Цена
214.40 ₽
193.60 ₽
180.80 ₽
168.00 ₽
150.40 ₽
144.00 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SISF02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 140А" 1.

Артикул производителя
SISF02DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
56нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-12...16В
Напряжение сток-исток
25В
Обозначение производителя
SISF02DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
44,4Вт
Сопротивление в открытом состоянии
5,6мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
60А
Ток стока в импульсном режиме
140А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены