Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

SISF02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 140А

Написать отзыв
SISF02DN-T1-GE3
30398 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
Цена
211.17 ₽
177.08 ₽
166.67 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "SISF02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 140А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SISF02DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
56нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-12...16В
Напряжение сток-исток
25В
Обозначение производителя
SISF02DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
44,4Вт
Сопротивление в открытом состоянии
5,6мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
60А
Ток стока в импульсном режиме
140А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены