Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SISF06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 81А; Idm: 190А

Написать отзыв
SISF06DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
306.97 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
30+
100+
300+
Цена
215.14 ₽
179.42 ₽
174.32 ₽
136.90 ₽
130.95 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISF06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 81А; Idm: 190А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SISF06DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
45нC
Код производителя
SISF06DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
44,4Вт
Сопротивление в открытом состоянии
6,95мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
81А
Ток стока в импульсном режиме
190А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России